توان-مصرفی
- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
توضیح اتصال
PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
دمای عملیات
0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
رابط اتصال
PCIe NVMe
سرعت خواندن تصادفی اطلاعات
UP to500,000 IOPS
سرعت خوندن ترتیبی اطلاعات
Up to 6,4000 MB/S
سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات
Up to 2,700 MB/S
سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات
Up to 600,000 IOPS
ظرفیت حافظه
250 GB
فناوری اتصال
PCI Express 3.0
کنترلر
SAMSUNG ELPIS
نوع DRAM
512 مگابایت LPDDR4
نوع حافظه فلش
Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نوع کاربری
اینترنال
ولتاژ عملیاتی
3.3 ولت